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参数资料
| 型号： | S2D-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | S2D-E3 |
S2A thru S2M
Document Number 88712
15-Aug-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.01
0.1
1
10
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
Instantaneo
u
s
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.01
0.10
1
10
100
1000
020
40
60
80100
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
1
10
100
0.1
1
10
100
J
u
nction
Capacitance
(pF)
Reverse Voltage (V)
t-Pulse Duration (sec)
T
ransient
Thermal
Impedance
(°C/
W
)
10
100
1
0.01
1
100
0.1
10
0.160 (4.06)
0.180 (4.57)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.205 (5.21)
0.220 (5.59)
0.130 (3.30)
0.155 (3.94)
0.084 (2.13)
0.096 (2.44)
0.077 (1.95)
0.086 (2.20)
Cathode Band
DO-214AA (SMB)
0.085 MAX.
(2.159 MAX.)
0.220 REF
0.086 MIN.
(2.18 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| S2D-HE3 | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| S2G-HE3 | 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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