参数资料
型号: S2J/54
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 73K
描述: RECTIFIER 600V 1.5A SMB
标准包装: 750
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.15V @ 1.5A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 2µs
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商设备封装: DO-214AA(SMB)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: S2J TR
S2J/1
S2J/1GITR
S2J/1GITR-ND
S2J/54GITR
S2JGITR
S2JGITR-ND
\? s2A, s2B, s2D, s2G, S2J, s2K, s2M7 WWw'ViShay'C°m Vishay General Semiconductor
I00
Junction Capacitance (pF)
Transient Thermal Impedance (OC/W)
8
Reverse Voltage (V) t— Pulse Duration (S)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Do-214AA (SMB)
Cathode Band
Mounting Pad Layout
ii
T ? 0.085 (2.159) MAX.i 0.086 (2.18) MIN. —‘ 0.180 (4.57) + I* f 0.012 (0.305)I‘ T0_o0e(0_(52) + 0.220 (5.59) REF. ?
0006 (2.20) 0.155 (3.94) ) *1 l
0077 (1.95) 0.130 (3.30) Ta? 5
" T0_160(4_06) A’ 0.0eO(1.52)MlN.+ +
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)0.060 (1.52): lf (0.008 (0.2)
0.030 (0.70) 0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
Revision: 14-Aug-13 3 Document Number: 88712
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PDF描述
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S320 IC DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMB
S3KB-13-F RECTIFIER GPP 800V 3A SMB
S3K DIODE GPP GEN PURP 3A 800V SMC
S3M DIODE GPP GEN PURP 3A 1000V SMC
相关代理商/技术参数
参数描述
S-2-J-7-D 制造商:Interconnect Devices Inc (IDI) 功能描述:SPRING CONTACT PROBE
S-2-J-7-D D/C 功能描述:触点探头 HEADLESS RADIUS RoHS:否 制造商:IDI 类型:Probes 尖端类型:Spherical Radius 长度:8.26 mm 电流额定值:10 A 弹力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050
S-2-J-7-G 制造商:Interconnect Devices Inc (IDI) 功能描述:Test Probes Headless Radius
S-2-J-7-G D/C 功能描述:触点探头 HEADLESS RADIUS RoHS:否 制造商:IDI 类型:Probes 尖端类型:Spherical Radius 长度:8.26 mm 电流额定值:10 A 弹力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050
S-2-J-8.3-D D/C 功能描述:触点探头 HEADLESS RADIUS RoHS:否 制造商:IDI 类型:Probes 尖端类型:Spherical Radius 长度:8.26 mm 电流额定值:10 A 弹力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050