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参数资料
| 型号： | S2M |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 144K |
| 描述： | DIODE GPP GEN PURP 2A 1000V SMB |
| 产品目录绘图： | SOD-123; SMB; SMA; SMC |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 2A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 2µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 30pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | S2MFSDKR |
S2A - S2M — General-Purpose
Rectifiers (Glass Passivated)
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
S2A - S2M Rev. 1.1.4 2
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Thermal Characteristics
Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
Electrical Characteristics
Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter
Value
Unit
S2A S2B S2D S2G S2J S2K S2M
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 100 200 400 600 800 1000 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current at
TA
= 100
°C
2.0 A
IFSM
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine Wave
50 A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +150
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 2.35 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient(1)
53
°C/W
Symbol Parameter Conditions
Value
Unit
S2A S2B S2D S2G S2J S2K S2M
VF
Forward Voltage IF
= 2.0 A 1.15 V
trr
Typical
R e v e r s e - R e c o v e r y T i m e
Irr = 0.25 A
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
2.0
μs
IR
Reverse Current
at Rated VR
TA = 25°C1.0
T
μA
A = 125°C 125
CT
Total Capacitance
VR = 4.0 V,
f = 1.0 MHz
30 pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPSD476M016R0100 | CAP TANT 47UF 16V 20% 2917 |
| DCP37P465TXLF | CONN DSUB PLUG 37POS T/H |
| ACM36DRTI | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
| ABM36DRTI | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
| TPSD476K010R0100 | CAP TANT 47UF 10V 10% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S2M R4 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Switching 1KV 2A 2-Pin SMB T/R |
| S2M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE SMD 2A 1000V |
| S2M/2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMB T/R |
| S2M/2BT | 功能描述:整流器 1.5 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S2M/2CT | 功能描述:整流器 1.5 Amp 1000 Volt 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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