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参数资料
| 型号： | S2VB604001L15 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | S2VB604001L15 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S2VB604001L20 | 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S30045T03C | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
| SCH1503 | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| SCH505 | 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 |
| S3006T03C | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S2VB60-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=40 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S2VB60-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=40 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S2W | 制造商:SEMIKRON 制造商全称:Semikron International 功能描述:Standard silicon rectifier diodes |
| S2W03 | 制造商:TSAY-E International 功能描述: |
| S2W07 | 制造商:TSAY-E International 功能描述: |
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