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参数资料
| 型号： | S3D |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | S3D |
PAGE . 2
STAD-FEB.26.2004
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.4 MAXIMUM NON REPETITIVE PEAK SURGE CURRENT
Fig.5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
Fig.2 TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS
Fig.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
3
.0
2.0
1.0
0
50
100
150
0
.5
1.5
2.5
LEAD TEMPERATURE, C
O
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
PERCENT OF PEAK REVERE VOLTAGE,%
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
NO. OF CYCLES AT 60Hz
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
P.C.B MOUNTED ON 0.3 x 0.3"
(8.0 x 8.0mm) COPPER PAD AREAS
A
VERAGE
F
OR
W
A
RD
RECTIFIED
CURRENT
,
A
MPERES
INST
ANT
A
NEOUS
F
OR
W
A
RD
CURRENT
,
AMPERES
INST
ANT
A
NEOUS
REVERSE
CURRENT
,uA
PEAK
FOR
W
ARD
S
URGE
C
URRENT
,
AMPERES
JUNCTION
CAP
A
CIT
A
NCE,pF
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.6
T=25 C
Pulse Width=300us
2% Duty Cycle
J
O
100
1.0
0.01
20
40
60
80
100
120 140
0.001
0.1
0
10
T=25 C
J
O
T= 7 5 C
J
O
T =125 C
J
O
100
120
80
60
40
20
0
1
2
610
20
40
60
100
0
0.1
1.0
100
1
2
5
10
20
50
100
T=25 C
f=1.0MHz
Vsig=50m VP.P
J
O
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S3B | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| S80-1A | 1 A, 160 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
| SA01-501 | TVS DIODE |
| SA100A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA110A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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