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参数资料
| 型号： | S3KT/R7 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | S3KT/R7 |
PAGE . 2
STAD-FEB.27.2009
1
S3A~S3M
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.4 MAXIMUM NON REPETITIVE PEAK SURGE CURRENT
Fig.5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
Fig.2 TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
3.0
2.0
1.0
0
50
100
150
0.5
1.5
2.5
LEAD TEMPERATURE, C
O
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
NO. OF CYCLES AT 60Hz
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
P.C.B MOUNTED ON 0.3 x 0.3"
(8.0 x 8.0mm) COPPER PAD AREAS
A
VERAGE
F
OR
W
A
RD
RECTIFIED
CURRENT
,
AMPERES
INST
ANT
A
NEOUS
F
OR
W
A
RD
CURRENT
,AMPERES
PEAK
FOR
W
ARD
S
URGE
C
URRENT
,
AMPERES
JUNCTION
CAP
A
CIT
A
NCE,pF
100
40
20
10
4.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.6
T=25 C
Pulse Width=300us
2% Duty Cycle
J
O
100
120
80
60
40
20
0
1
2
610
20
40
60
100
1 0
0.1
1.0
100
1
2
5
10
20
50
100
T=25 C
f=1.0MHz
Vsig=50m VP.P
J
O
Fig.3-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
INST
ANT
A
NEOUS
REVERSE
CURRENT
Am
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE, %
0.01
20
40
60
80
100
120
140
0.1
1.0
10
100
T= 125 C
o
J
T= 100 C
J
o
T= 25 C
J
o
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S3A | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| S3MT/R13 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| S3B | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| S3J | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| S3M | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| S3L20U-4060 | 功能描述:整流器 VRM=200 IFSM=60 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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