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参数资料
| 型号： | S3MB-13-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 265K |
| 描述： | DIODE GPP 3A 1000V SMB |
| 其它图纸： | SMB Series Top SMB Series Side |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 电容@ Vr, F： | 40pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1589 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | S3MB-FDIDKR |
S3A/B - S3M/B
Document number: DS16005 Rev. 18 - 2
2 of 4
www.diodes.com
March 2014
? Diodes Incorporated
S3A/B - S3M/B
Maximum Ratings
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol
S3
A/AB
S3
B/BB
S3
D/DB
S3
G/GB
S3
J/JB
S3
K/KB
S3
M/MB
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50 100 200 400 600 800 1000 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
30 70 140 280 420 560 700 V
Average Rectified Output Current @ TT
= +75°C I
O
3.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
100 A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 5)
RθJT
10 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150 °C
Electrical Characteristics
(@TA
= +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Value Unit
Forward Voltage @ IF
= 3.0A V
FM
1.15 V
Peak Reverse Current @ TA
= +25°C
at Rated DC Blocking Voltage @ TA
= +125 °C
IRM
10
250
μA
Typical Total Capacitance (Note 6)
CT
40 pF
Notes: 5. Thermal resistance: Junction to Terminal, unit mounted on PC board with 5.0 mm2
(0.013 mm thick) copper pad as heat sink.
6. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
0
25 50 75 100 125 150
1.5
T , TERMINAL TEMPERATURE (oC)T
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
I, AVE
R
A
G
E F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
AV
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
F
0.01
0.1
1.0
10
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
I Pulse Width = 300 SF
?
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMC43DREF-S734 | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
| TCN75-5.0MOA | IC TEMP SENSOR SRL 5.0V 8SOIC |
| TMK107SD472KA-T | CAP CER 4700PF 25V 10% 0603 |
| GEM02DSEN-S243 | CONN EDGECARD 4POS .156 EYELET |
| GQM2195C2E330JB12D | CAP CER 33PF 250V 5% NP0 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S3MBQ-13-F | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:3.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| S3MB-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:3.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE |
| S3MB-TP | 功能描述:整流器 Standard 1000V 3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| S3MBTR | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB（DO-214AA） 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| S3MC | 制造商:PACELEADER 制造商全称:PACELEADER INDUSTRIAL 功能描述:SURFACE MOUNT STANDARD RECOVERY RECTIFIER |
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