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参数资料
| 型号： | S3V80 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2.6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE AX14, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | S3V80 |
www.
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co.
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oduct
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emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
Forward Voltage
Peak Surge Forward Current Capability
Forward Power Dissipation
l
Peak Surge Forward Current Capability
Ta-Io
Derating Curve Ta-Io
S3V80
（J534-P〈2010.
06〉）
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S3WB60Z | 2.3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S413D | 1.25 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| S4240 | 125 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-8 |
| S425DA | 3.6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| S426DA | 3.6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S3W | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface Mount Si-Rectifiers |
| S-3WAY | 制造商:Samson Technologies 功能描述:Active Crossover 3 Way Stereo or 4 Way Mono |
| S3WB20 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S3WB20-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S3WB20-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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