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参数资料
| 型号： | S3WB204003L7.5 |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 2.3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | S3WB204003L7.5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S3WB604003L7.5 | 2.3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S3WB204002L10 | 2.3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S3WB204002L15 | 2.3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S3WB60Z4001L20 | 2.3 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S40G | 40 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S3WB20-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S3WB20-7000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=200 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S3WB60 | 功能描述:桥式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S3WB60-4000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| S3WB60-5000 | 功能描述:桥式整流器 VRM=600 IFSM=120 RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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