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参数资料
| 型号： | S4PMHG3/87A |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | S4PMHG3/87A |
New Product
S4PB thru S4PM
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89032
Revision: 30-Jul-08
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Re
ctified
C
u
rrent
(A)
Resistive or Inductive Load
4.5
3.5
2.5
1.5
T
L measured
at the Cathode Band Terminal
Average Forward Current (A)
A
v
er
age
P
o
w
er
Loss
(
W
)
012345
0
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
1.5
2.5
3.5
4.5
D = t
p/T
t
p
T
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
100
10
1
0.1
0.01
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
100
10
0.1
1
10
100
Junction to Ambient
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S4PB-G3/86A | 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| S4PDHE3/86A | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| S4PDHG3/86A | 4 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| S4PM-E3/87A | 4 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| S4PJ-G3/87A | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| S4PM-HM3/86A | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
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