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参数资料
| 型号： | S5566BTPB2 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | S5566BTPB2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDR6002 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDR8003 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD1205 | SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SQ1220B | VHF-UHF BAND, 6.8 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SQ1717 | VHF-UHF BAND, 3.9 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S5566G | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS |
| S5566G(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode 400V 1A 2-Pin DO-41S |
| S5566J | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS |
| S5566J(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode 600V 1A 2-Pin DO-41S |
| S5566N | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON RECTIFIER DIODES |
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