参数资料
型号: S5629
元件分类: 光敏二极管
英文描述: PHOTO DIODE
封装: MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-20
文件页数: 2/3页
文件大小: 446K
代理商: S5629
One-dimensional PSD
Plastic package
WAVELENGTH (nm)
PHOTO
SENSITIVITY
(A/W)
(Typ. Ta=25 C)
200
400
800
1000
1200
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.6
600
S4584-06
S7105-06
S5629-01
QE=100 %
S4583/S4584-04,
S7105-04/-05, S5629/-02
S3274-05
KPSDB0079EC
s Spectral response
2
REVERSE VOLTAGE (V)
DARK
CURRENT
1 nA
100 pA
10 pA
0.01
0.1
1
10
100
(Typ. Ta=25 C)
1 pA
S4582-04,
S4584-04/-06
S7105-04/-05/-06
S3274-05
S5629/-01/-02
S4581-04
KPSDB0004EF
s Dark current vs. reverse voltage
10
100
1000
(Typ. Ta=25 C)
INTERELECTRODE RESISTANCE (k
)
SATURATION
PHOTOCURRENT
1 mA
100 A
10 A
1 A
VR = 5 V
VR = 2 V
VR = 1 V
VR = 0 V
KPSDB0003EA
s Saturation photocurrent vs. interelectrode resistance
OUTPUT I1
L (RESISTANCE LENGTH)
INCIDENT LIGHT
OUTPUT I2
s Definition of position detection error
When the electrical center of a PSD is assumed to be the
position of incident light where light current I1 equals I2,
position detection error at each incident position can be
defined by the following equation.
KPSDC0001EA
The electrical center is viewed as 0, I1 as (+), and I2 as (-).
Position detection error (m) = Incident position -
I2 - I1
L
I1 + I2
2
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S-562T 功能描述:稳流二极管 100V 5.6mA RoHS:否 制造商:Central Semiconductor 最大调节器电流:5.17 mA 最大极限电压:2.9 V 最大峰值工作电压:100 V 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-204AH 封装: