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参数资料
| 型号： | S5B-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | S5B-E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88931
19-Sep-05
S5A thru S5M
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.3 x 0.3" (8.0 x 8.0 mm) copper pad area
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
S5A
S5B
S5D
S5G
S5J
S5K
S5M
Unit
Maximum instantaneous forward
voltage
at 5.0 A
VF
1.15
V
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage
TA= 25 °C
TA= 125 °C
IR
10
250
A
Typical reverse recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
2.5
s
Typical junction capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
40
pF
Parameter
Symbol
S5A
S5B
S5D
S5G
S5J
S5K
S5M
Unit
Typical thermal resistance (1)
RθJL
10
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0
25
50
75
100
125
150
Lead Temperature (°C)
6
5
4
3
2
1
0
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
1
100
10
100
10
200
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
TL = 75 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S5B/57T | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
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| S5G-HE3 | 5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
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| S5B-TP | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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