型号: | S6006DS2 |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 6 A, 600 V, SCR, TO-252 |
封装: | DPAK-3 |
文件页数: | 1/11页 |
文件大小: | 118K |
代理商: | S6006DS2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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S6006DS3 | 6 A, 600 V, SCR, TO-252 |
S6006VS2 | 6 A, 600 V, SCR, TO-251 |
S6006VS3 | 6 A, 600 V, SCR, TO-251 |
S6008DS3 | 8 A, 600 V, SCR, TO-252 |
S6008VS3 | 8 A, 600 V, SCR, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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S6006DS2RP | 功能描述:SCR 6A 200uA 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
S6006DS2TP | 功能描述:SCR 6A 200uA 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
S6006DS3 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全称:Littelfuse 功能描述:Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
S6006DS3RP | 功能描述:SCR 6A 500uA 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
S6006DS3TP | 功能描述:SCR 6A 500uA 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |