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参数资料
| 型号： | S6008LS2 |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SCR, TO-220AB |
| 封装： | ISOLATED TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | S6008LS2 |
Sensitive SCRs
Data Sheets
http://www.teccor.com
E5 - 10
2004 Teccor Electronics
+1 972-580-7777
Thyristor Product Catalog
Figure E5.17 Power Dissipation (Typical) versus RMS On-state Current
Figure E5.18 Normalized DC Latching Current versus Case Temperature
Figure E5.19 Simple Test Circuit for Gate Trigger Voltage and
Current Measurement
Note: V1 — 0 V to 10 V dc meter
VGT — 0 V to 1 V dc meter
IG — 0 mA to 1 mA dc milliammeter
R1 — 1 k potentiometer
To measure gate trigger voltage and current, raise gate voltage
(VGT) until meter reading V1 drops from 6 V to 1 V. Gate trigger
voltage is the reading on VGT just prior to V1 dropping. Gate trig-
ger current IGT can be computed from the relationship
where IG is reading (in amperes) on meter just prior to V1 drop-
ping.
Note: IGT may turn out to be a negative quantity (trigger current
flows out from gate lead). If negative current occurs, IGT value is
not a valid reading. Remove 1 k resistor and use IG as the more
correct IGT value. This will occur on 12 A gate products.
02468
10
0
2
4
6
8
10
12
RMS On-state Current [IT(RMS)] – Amps
CURRENT WAVEFORM: Half Sine Wave
LOAD: Resistive or Inductive
CONDUCTION ANGLE: 180
Average
On-state
Power
Dissipation
[P
D(AV)
]–
Watts
6 A to 10 A
TO-220, TO-202,
TO-251, and TO-252
-65
-15
+25
+65
+110 +125
-40
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
Case Temperature (TC) – C
Ratio
of
I L
(
T
C
=
25
C)
See General Notes for specific device
operating temperature range.
V1
6 V
DC
+
–
100
D.U.T.
Reset
Normally-closed
Pushbutton
1 k
(1%)
I
G
V
GT
100
I
GT
R1
IN4001
I
GT
I
G
V
GT
1000
------------- Am ps
–
=
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S6008LS3 | 8 A, 600 V, SCR, TO-220AB |
| S6010LS2 | 10 A, 600 V, SCR, TO-220AB |
| S6008F111 | 8 A, 600 V, SCR |
| S6008F112 | 8 A, 600 V, SCR |
| S6008F121 | 8 A, 600 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S6008LS2TP | 功能描述:SCR Sen SCR600V 8A 200UA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S6008LS3 | 功能描述:SCR 8A 600V Sensing RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S6008LTP | 功能描述:SCR 8A 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S6008R | 功能描述:SCR 8A 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| S6008R_ | 功能描述:SCR USE 576-S6008R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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