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参数资料
| 型号： | S71WS512NE0BFWZZ2 |
| 厂商： | SPANSION LLC |
| 元件分类： | 存储器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA96 |
| 封装： | 9 X 12 MM, LEAD FREE, FBGA-96 |
| 文件页数： | 12/142页 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ2 |
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12
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Pin Capacitance
Valid Combinations
Flash Access
Time (MHz)
(p)SRAM Access
Time (MHz)
Temperature
Range
Supplier
Order Number
Package Marking
S71WS512NE0BFWZZ
71WS512NE0BFWZZ
54
54
-25C to +85C
Supplier 1
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
C
IN1
Input Capacitance
V
IN
=0
TBD
TBD
pF
C
IN2
Output Capacitance
V
out
=0
TBD
TBD
pF
C
out
Control Capacitance
V
IN
=0
TBD
TBD
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
| S71WS512PC0HF3HL2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
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