- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录365451 > S71WS512NE0BFWZZ (Spansion Inc.) Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt PDF资料下载
参数资料
| 型号： | S71WS512NE0BFWZZ |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆叠式多芯片产品（MCP）的闪存和移动存储芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件页数： | 18/142页 |
| 文件大小： | 1996K |
| 代理商： | S71WS512NE0BFWZZ |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页当前第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页
18
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
The
sector erase architecture
allows memory sectors to be erased and repro-
grammed without affecting the data contents of other sectors. The device is fully
erased when shipped from the factory.
Hardware data protection
measures include a low V
CC
detector that automat-
ically inhibits write operations during power transitions. The device also offers
two types of data protection at the sector level. When at V
IL
,
WP#
locks the
four outermost boot sectors at the top of memory and four outermost boot sec-
tors at the bottom of memory.
When the ACC pin = V
IL
, the entire flash memory array is protected.
The device offers two power-saving features. When addresses have been stable
for a specified amount of time, the device enters the
automatic sleep mode
.
The system can also place the device into the
standby mode
. Power consump-
tion is greatly reduced in both modes.
Spansion
TM
Flash memory products combine years of Flash memory manufactur-
ing experience to produce the highest levels of quality, reliability and cost
effectiveness. The device electrically erases all bits within a sector simulta-
neously via Fowler-Nordheim tunnelling. The data is programmed using hot
electron injection.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NA0BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S71WS512NE0BFWZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512NE0BFWZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512P | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
| S71WS512PC0HF3 | 制造商:SPANSION 制造商全称:SPANSION 功能描述:1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。