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参数资料
| 型号： | S72NS128NE0ZJW7K3 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Based MCPs |
| 中文描述： | 基于MCP的 |
| 文件页数： | 5/17页 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | S72NS128NE0ZJW7K3 |
November 9, 2005 S72NS128_256ND0_00_B1
S72NS-N Based MCPs
3
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
1
MCP Block Diagrams
Notes:
1.
Amax indicates highest address bit for memory component:
a. Amax = A23 for NS256N, A22 for NS128N
b. Amax = A11 for 128 Mb DDR DRAM, A12 for 256-Mb DDR DRAM
For Flash, A0 – A15 is tied to DQ0 – DQ15.
For the NS512N, two NS-N devices are included. All signals are common to both except for CE#. F-CE# becomes F1-CE#, while the CE#
for the second flash is F2-CE#. This way, the two NS-N devices are separately accessed.
Figure 1.1. MCP Block Diagram
2.
3.
MUX
Flash
Memory
NS-N
DDR
DRAM
Memory
F-RST#
F-V
PP
F-WP#
F-CE#
F-OE#
F-WE#
AVD#
F-V
SS
RST#
V
PP
WP#
CE#
OE#
WE#
AVD#
V
SS
ADQ15-ADQ0
F-CLK
F-RDY
A16-Amax
F-V
CC
F-V
CCQ
A15-A0
DQ15-DQ0
CLK
RDY
A16-Amax
V
CC
V
CCQ
D-RAS#
D-CAS#
D-BA0
D-BA1
D-CKE
D-WE#
D-Amax - D-A0
D-V
CC
D-V
CCQ
RAS#
CAS#
BA0
BA1
CKE
WE#
V
CC
V
CCQ
CLK
CLK#
DQS0
DQS1
LDQM
UDQM
TEST
DQ15-DQ0
V
SS
V
SSQ
D-CLK
D-CLK#
D-LDQS
D-UDQS
D-LDQM
D-UDQM
D-TEST
D-DQ15 - D-DQ0
D-V
SS
D-V
SSQ
F2-CE#
Second NS-N (if needed)
(
Note 3
)
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PDF描述 |
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