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参数资料
| 型号： | S75PL127JCDBFWB2 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Power supply woltage of 2.7 to 3.1 volt |
| 中文描述： | 功率2月7号至三月一日伏的电源woltage |
| 文件页数： | 69/183页 |
| 文件大小： | 4247K |
| 代理商： | S75PL127JCDBFWB2 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页当前第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页
December 15, 2004 S29GLxxxN_MCP_A1
S29GLxxxN MirrorBitTM Flash Family
161
Advance
Informatio n
AC Characteristics
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations-
S29GL128N, S29GL256N, S29GL512N
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “AC Characteristics” section for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. Effective write buffer specification is based upon a 16-word/32-byte write buffer operation.
5. Unless otherwise indicated, AC specifications for 90 ns, 100ns, and 110 ns speed options are tested with VIO = VCC
= 3 V. AC specifications for 110 ns speed options are tested with VIO = 1.8 V and VCC = 3.0 V.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std.
Description
90
100
110
Unit
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
TASO
Address Setup Time to OE# low during
toggle bit polling
Min
15
ns
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high
during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min
45
ns
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tCEPH CE# High during toggle bit polling
Min
20
ns
tOEPH OE# High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tWLEL
tWS
WE# Setup Time
Min
0
ns
tEHWH
tWH
WE# Hold Time
Min
0
ns
tELEH
tCP
CE# Pulse Width
Min
35
ns
tEHEL
tCPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2,
3)
Typ
240
s
Effective Write Buffer
Program Operation (Notes
2, 4)
Per Word
Typ
15
s
Effective Accelerated Write
Buffer Program Operation
(Notes 2, 4)
Per Word
Typ
13.5
s
Program Operation (Note 2)
Word
Typ
60
s
Accelerated Programming
Operation (Note 2)
Word
Typ
54
s
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
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PDF描述 |
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