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参数资料
| 型号： | S8K |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SMCJ, MODIFIED DO-214AB, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | S8K |
Average Forward Rectified Current - Amperes versus
Ambient Temperature -
°C
Figure 2
Forward Derating Curve
40
60
100
120
140
160
0
2
4
6
Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
Amps
°C
80
8
10
12
Figure 3
Junction Capacitance
.1
.2
1
.4
2
10
20
40
4
100
200
10
20
60
100
200
1000
Junction Capacitance - pF versus
Reverse Voltage - Volts
pF
Volts
600
400
40
400
1000
TJ=25
°C
Figure 1
Typical Forward Characteristics
Instantaneous Forward Current - Amperes versus
Instantaneous Forward Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
.5
1.5
.7
.9
1.1
1.3
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
25
°C
40
60
100
1.7
S8A thru S8M
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S8B-TP | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| S8KC | 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| S8MC | 8 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| S8LC12-2-G | 500 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| S8LC24-2-G | 500 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S8K120 | 制造商:RIVNUTS 功能描述: |
| S8K281 | 制造商:RIVNUTS 功能描述: |
| S8KC | 制造商:Lite-On Semiconductor Corporation 功能描述: |
| S8KC_HF | 制造商:Lite-On Semiconductor Corporation 功能描述:8A 800V Standard Recovery Rectifiers |
| S8KC-13 | 功能描述:整流器 8.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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