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参数资料
| 型号： | S9S08SG16E1CTJ |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 300/336页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 16K FLASH 20-TSSOP |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | S08 |
| 核心处理器： | S08 |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SCI，SPI |
| 外围设备： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 16 |
| 程序存储器容量： | 16KB（16K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 1K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 12x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
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Chapter 4 Memory
MC9S08SG32 Data Sheet, Rev. 8
60
Freescale Semiconductor
4.7.6
FLASH Command Register (FCMD)
Only ve command codes are recognized in normal user modes as shown in Table 4-13. Refer to Section
4.5.3, “Program and Erase Command Execution,” for a detailed discussion of FLASH programming and
erase operations.
All other command codes are illegal and generate an access error.
It is not necessary to perform a blank check command after a mass erase operation. Only blank check is
required as part of the security unlocking mechanism.
4
FACCERR
Access Error Flag — FACCERR is set automatically when the proper command sequence is not obeyed exactly
(the erroneous command is ignored), if a program or erase operation is attempted before the FCDIV register has
been initialized, or if the MCU enters stop while a command was in progress. For a more detailed discussion of
the exact actions that are considered access errors, see Section 4.5.5, “Access Errors.” FACCERR is cleared by
writing a 1 to FACCERR. Writing a 0 to FACCERR has no meaning or effect.
0 No access error.
1 An access error has occurred.
2
FBLANK
FLASH Veried as All Blank (erased) Flag — FBLANK is set automatically at the conclusion of a blank check
command if the entire FLASH array was veried to be erased. FBLANK is cleared by clearing FCBEF to write a
new valid command. Writing to FBLANK has no meaning or effect.
0 After a blank check command is completed and FCCF = 1, FBLANK = 0 indicates the FLASH array is not
completely erased.
1 After a blank check command is completed and FCCF = 1, FBLANK = 1 indicates the FLASH array is
completely erased (all 0xFF).
76543210
R
00000000
W
FCMD
Reset
00000000
Figure 4-10. FLASH Command Register (FCMD)
Table 4-13. FLASH Commands
Command
FCMD
Equate File Label
Blank check
0x05
mBlank
Byte program
0x20
mByteProg
Byte program — burst mode
0x25
mBurstProg
Page erase (512 bytes/page)
0x40
mPageErase
Mass erase (all FLASH)
0x41
mMassErase
Table 4-12. FSTAT Register Field Descriptions (continued)
Field
Description
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX260BEWG+ | IC FILTER ACT MPU PROG 24-SOIC |
| MAX274BENG+ | IC FILTER ACTIVE 24-DIP |
| MAX268BEWG+ | IC FILTER BANDPASS PROG 24-SOIC |
| MAX261BEWG+ | IC FILTER ACT MPU PROG 24-SOIC |
| MC9S08RG60FGE | IC MCU 60K FLASH 8MHZ 44-LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| S9S08SG16E1CTJR | 功能描述:8位微控制器 -MCU S08 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| S9S08SG16E1CTL | 功能描述:8位微控制器 -MCU S08 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| S9S08SG16E1CTLR | 功能描述:8位微控制器 -MCU S08 16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| S9S08SG16E1JTGR | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:HCS08 Microcontrollers |
| S9S08SG16E1JTJR | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:HCS08 Microcontrollers |
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