型号: | SA22CATR |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 79K |
代理商: | SA22CATR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SA24TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SA78CATR | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SA8.0TR | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
SPB-G56S | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SFPB-54 | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SA22C-E3/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 22V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SA22C-E3/51 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 22V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SA22C-E3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 22V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SA22C-E3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 22V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SA22CHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 22V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |