型号: | SA26AE3/TR8 |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
封装: | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | SA26AE3/TR8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SA26A/TR12 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
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SA24E3/TR8 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SA26AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 26V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SA26ARL | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SA26ARLG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 26V 500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |