参数资料
| 型号： | SA33AG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER UNIDIR 500W 33V AXIAL |
| 产品变化通告： | Specification Update Storage Temp Range 14/Aug/2008 Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | MiniMosorb™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 33V |
| 电压 - 击穿： | 36.7V |
| 功率（瓦特）： | 500W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AC，DO-15，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-15 |
| 包装： | 散装 |
SA5.0A Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Power Dissipation (Note 1) @ T L ≤ 25 ° C
Steady State Power Dissipation @ T L ≤ 25 ° C, Lead Length = 3/8 in
Derated above T L = 50 ° C
Thermal Resistance, Junction ? to ? Lead
Forward Surge Current (Note 2) @ T A = 25 ° C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P PK
P D
R q JL
I FSM
T J , T stg
Value
500
3.0
30
33.3
70
? 55 to +150
Unit
W
W
mW/ ° C
° C/W
A
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Nonrepetitive current pulse per Figure 4 and derated above T A = 25 ° C per Figure 5.
2. 1/2 sine wave (or equivalent square wave), PW = 8.3 ms, duty cycle = 4 pulses per minute.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless
otherwise noted, V F = 3.5 V Max. @ I F (Note 6) = 35 A)
Symbol Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C
Clamping Voltage @ I PP
I F
I
I R V F
V RWM
I R
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V C V BR V RWM
I T
V
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
Q V BR
I F
V F
Maximum Temperature Variation of V BR
Forward Current
Forward Voltage @ I F
http://onsemi.com
2
I PP
Uni ? Directional TVS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7010.9962.57 | FUSE 1.5A 125V 7X2MM SMD |
| MMH21-0071B1 | CONN RACK/PANEL 7POS 5A |
| MMH25-0091K1 | CONN RACK/PANEL 9POS 5A |
| MMB23-0201K1 | CONN RACK/PANEL 20POS 5A |
| MMA25-0141N1 | CONN RACK/PANEL 14POS 5A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SA33AHE3/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SA33AHE3/73 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 33V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SA33ARL | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 500W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SA33ARLG | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 33V 500W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SA33A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI-DIR 500W 9.6A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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