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参数资料
| 型号： | SA60B |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | SA60B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SA15CA-13 | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA17A-13 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SA33A-B | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15 |
| SF14-B | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SR306-13 | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SA60BA60 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Single Phase Fast Recovery Bridge (Power Modules), 60 A |
| SA60C | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SA60C Bi-Directional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SA60C _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| SA60C/4 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SA60C/54 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 500W 60V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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