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参数资料
| 型号： | SAF-XC888C-8FFA3V3 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | PLASTIC, TQFP-64 |
| 文件页数： | 104/144页 |
| 文件大小： | 1455K |
| 代理商： | SAF-XC888C-8FFA3V3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页当前第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页
XC886/888CLM
Functional Description
Data Sheet
55
V1.2, 2009-07
3.3.3
Flash Programming Width
For the P-Flash banks, a programmed wordline (WL) must be erased before it can be
reprogrammed as the Flash cells can only withstand one gate disturb. This means that
the entire sector containing the WL must be erased since it is impossible to erase a
single WL.
For the D-Flash bank, the same WL can be programmed twice before erasing is required
as the Flash cells are able to withstand two gate disturbs. This means if the number of
data bytes that needs to be written is smaller than the 32-byte minimum programming
width, the user can opt to program this number of data bytes (x; where x can be any
integer from 1 to 31) first and program the remaining bytes (32 - x) later. Hence, it is
possible to program the same WL, for example, with 16 bytes of data two times (see
Figure 12
D-Flash Programming
Note: When programming a D-Flash WL the second time, the previously programmed
Flash memory cells (whether 0s or 1s) should be reprogrammed with 0s to retain
its original contents and to prevent “over-programming”.
0000 ….. 0000
H
0000 ….. 0000
H
32 bytes (1 WL)
1111 ….. 1111
H
0000 ….. 0000
H
16 bytes
0000 ….. 0000
H
1111 ….. 1111
H
Flash memory cells
32-byte write buffers
1111 ….. 0000
H
1111 ….. 1111
H
0000 ….. 0000
H
1111 ….. 0000
H
Program 1
Program 2
Note: A Flash memory cell can be programmed
from 0 to 1, but not from 1 to 0.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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