参数资料
型号: SB007T03Q-TL
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.07 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: MCP, 3 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 26K
代理商: SB007T03Q-TL
SB007T03Q
No.4169-2/3
Package Dimensions
trr Test Circuit
unit : mm
1246A
Electrical Connection
0.3
0.65 0.65
2.0
0.425
1.250
2.1
0.425
0.15
0 to 0.1
0.2
0.3
0.6
0.9
12
3
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Cathode / Anode
SANYO : MCP
Duty
≤10%
50
100
10
--5V
trr
10
s
10mA
1.0mA
3
12
Top view
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Cathode / Anode
0
1.0
0.3
0.4
0.5
0.1
0.2
10
100
2
7
5
3
7
5
3
2
7
5
3
2
0.7
0.6
Forward Voltage, VF -- V
F
orw
ard
Current,
I
F
--
mA
IF -- VF
T
a=125
°C
25
°C
--25
°C
75
°C
ID00224
0
0.01
0.1
2
5
2
5
2
5
2
5
2
5
1.0
10
100
1000
35
5
1015
20
2530
Reverse Voltage, VR -- V
IR -- VR
Re
v
erse
Current,
I
R
-
A
Ta=125°
C
25°C
50°C
75°C
100°C
ID00225
IS
20ms
t
Current waveform 50Hz sine wave
7 0.01
23
7 0.1
0
52
2
3
37 1.0
5
2.4
2.8
1.6
0.8
2.0
1.2
0.4
Time, t -- s
Sur
ge
F
orw
ard
Current,
I
FSM
(Peak)
--
A
ID00227
1.0
10
2
3
5
1.0
10
7
23
5
2
3
5
7
57
Reverse Voltage, VR -- V
C -- VR
Interterminal
Capacitance,
C
--
pF
f=1MHz
ID00226
IFSM -- t
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PDF描述
SB007W03C 0.07 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
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SB020 0.6 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SB030 0.6 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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