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参数资料
| 型号： | SB030-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.6 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, MINIATURE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | SB030-E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88714
13-Jul-05
SB020 thru SB060
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Thermal resistance junction to lead P.C.B. mounted 0.375" (9.5 mm) lead length
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
SB020
SB030
SB040
SB050
SB060
Unit
Maximum instantaneous
forward voltage
at 0.6 A(1)
VF
0.55
0.70
V
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage(1)
TA = 25 °C
TA = 100 °C
IR
0.5
mA
10
5.0
Parameter
Symbol
SB020
SB030
SB040
SB050
SB060
Unit
Typical thermal resistance(1)
RθJA
RθJL
80
20
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
0.6
0.8
0
20
40
60
80
100
120
140
A
v
er
age
F
orw
ard
Current
(A)
Lead Temperature (°C)
0.4
0.2
Resistive or Inductive Load
0.375"(9.5mm) Lead Length
160
SB020 - SB040
SB050 - SB060
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
0
10
15
1
100
10
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
TJ =TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
20
25
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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