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参数资料
| 型号： | SB05-03C(Q) |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | CP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | SB05-03C(Q) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB01-05SPA | 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB30-03P(SG) | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB30-03Z | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB05-03Q(Q) | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB07-015C(R) | 0.7 A, 15 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SB05-03C-TB-E | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 500MA 30V CP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SB0503EC | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A Rectifier |
| SB0503EC-TR | 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 0.5A ECSP1008-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SB0503EJ | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 500mA Rectifier |
| SB05-03Q | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 500mA Rectifier |
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