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参数资料
| 型号： | SB160-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 302K |
| 代理商： | SB160-E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88715
14-Jul-05
SB120 thru SB160
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Thermal resistance junction to lead P.C.B. mounted 0.375" (9.5 mm) lead length
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
SB120
SB130
SB140
SB150
SB160
Unit
Maximum instantaneous
forward voltage (1)
at 1.0 A
VF
0.48
0.65
V
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (1)
TA = 25 °C
TA = 100 °C
IR
0.50
mA
10
5.0
Parameter
Symbol
SB120
SB130
SB140
SB150
SB160
Unit
Typical thermal resistance (1)
RθJA
RθJL
50
15
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
0.25
0.5
0.75
0
50
75
25
100
125
150
175
1.0
A
v
erage
F
or
w
ard
C
u
rrent
(A)
Lead Temperature ( °C)
Resistiveor
Inductive Load
0.375" (9.5mm)
Lead Length
SB120 - SB140
SB150
& SB160
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
P
e
ak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
Number of Cycles at 60 HZ
0
10
30
20
50
40
1
100
TJ =TJ max.
8.3ms Single Half Sine-Wave
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB150-E3 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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