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参数资料
| 型号： | SB1H90-23 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | SB1H90-23 |
SB1H90 and SB1H100
Vishay Semiconductor
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0
0.6
0.8
1
050
25
75
100
125
150
175
A
verage
Forward
Current
(A)
Case Temperature (C)
0.4
0.2
1.2
Fig. 1 – Forward Current
Derating Curve
200
0.2
0
0.4
0.8
1.0
Fig. 2 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics
0.01
0.1
10
1
I F
-
-Instantaneous
Forward
Current
(A)
TJ = 25C
Instantaneous Forward Voltage (V)
1.2
TJ = 150C
0.6
1.4
1.6
1.8
100
TJ = 175C
TJ = 100C
TJ = 125C
20
60
40
100
80
Fig. 3 – Typical Reverse
Characteristics
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ = 25
°C
0.1
0.01
1
10000
100
TJ = 100
°C
TJ = 125
°C
10
1000
TJ = 150
°C
Reverse Voltage (V)
Junction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
1000
10
Fig. 4 – Typical Junction Capacitance
10000
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Thermal
Impedance
(
C/W)
0.1
0.01
1
10
100
10
1
Fig. 5 – Typical Transient
Thermal Impedance
0.1
www.vishay.com
Document Number 88716
2
25-Jun-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB1H100-23 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| SB1H90-E2 | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| SB2010-TP | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| SB20W03TTP | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB20W03TTP-FA | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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