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参数资料
| 型号： | SB320EA-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 54K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-201A |
| 标准包装： | 1,200 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 250pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 带盒（TB） |
        RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (SB320E-G Thru. SB3100E-G ) Page 2 QW-BB042 REV:A Fig.1- Forward Current Derating Curve 0 A v e r a g e F o r w a r d C u r r e n t , ( A ) emperature, ( OC) Lead T 0 75 175 Fig.2- Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current P e a k F o r w a r d S u r g e C u r r e n t , ( A ) Number of Cycles at 60Hz Fig.3- Typical Instantaneous Forward Characteristics I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d C u r r e n t , ( A ) Instantaneous Forward Voltage (V) 50 100 125 1.2 2.4 3.6 Fig.4A- Typical Reverse Characteristics I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t , ( m A ) Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%) 25 150 Fig.5- Typical Junction Capacitance J u n c t i o n C a p a c i t a c n e , ( p F ) Reverse Voltage, (V) ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers 3.0 1.8 0.6 Comchip Technology CO., LTD. 0 20 40 60 80 100 120 140 100 10 1.0 0.1 0.01 0.001 Fig. 4B- Typeical Reverse Characteristic I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t , ( u A ) Percent of Rated Peak Reverse Voltage, ( %) 1 1 10 100 10 100 TL=110°C 8.3mS single half sine-wave (JEDEC Method) 0 .1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 100 1 0 1 .0 SB380E-G - S B3100E-G SB350E-G - S B360E-G SB320E-G - S B345E-G TJ=25°C TJ=75°C TJ=125°C SB320E-G - SB345E-G 0.1 1.0 10 100 100 1000 10 TJ=25°C f=1.0MHz 1000 100 10 1.0 0.1 0 20 40 60 80 100 SB350E-G - SB3100E-G TJ=100°C TJ=125°C TJ=150°C TJ=25°C SB320E-G ~ SB345E-G SB350E-G ~ SB3100E -G single phase half wave 60Hz resistive or inductive load 3.75”(9.5mm) lead length Comchip S M D D i o d e S p e c i a l i s t |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SB320EB-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers |
| SB320E-G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-201A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SB320ET-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers |
| SB320G | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:Single Phase 3.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers |
| SB320-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Leaded Schottky Barrier Rectifiers |
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