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参数资料
| 型号： | SB340 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | SB340 |
SB320 thru SB360
Document Number 88719
14-Jul-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
50
10
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
SB320 - SB340
SB350 & SB360
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
SB320 - SB340
SB350 & SB360
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
100
1000
0.1
10
1
10
100
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
SB320 - SB340
SB350 & SB360
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
0.1
10
1
100
0
t - Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
Dia.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
Dia.
1.0 (25.4)
Min.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
Min.
DO-201AD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB320-E3 | 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB350-E3 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB360-E3 | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB360 | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SB330-E3 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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