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参数资料
型号： SB350-E3/73
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 2/3页
文件大小： 65K
描述： DIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIAL
标准包装： 1,000
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 50V
电流 - 平均整流 (Io)： 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 680mV @ 3A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 500µA @ 50V
安装类型： 通孔
封装/外壳： DO-201AD，轴向
供应商设备封装： DO-201AD
包装： 带盒（TB）
sB320thrusB360 \@
Vishay General Semiconductor 7
THEITMAL cHARAcTE sT cs (TA 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Typical thermal resistance
Note‘ll Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounting, 0.500“ (12.7 mm) lead length with 2.5“ x 2.5" (63.5 mm x 63.5 mm) copper
pad
PREFERREDP/N UN-Twe-Gnrigi
mm 11
mm jj
RATINGS AND cHAnAcTERIsTIcs cunves(TA : 25 °C unless otherwise noted)
100ii Eg (30 gE EE O 1
Resistive or inductive Load0.375“ (9.5 mm) Lead Lengtn
' 9-) 10: ._
u.0 I?u. 33 85 E 0 10’ _ .> E( S8320 tnru S5340 5
_ _ _ _ S8350 and SE360 E sB32u tnru sE!34o
. . . _ S5350 and SBEGD
0.010 25 50 75 100 125 150 175 0 0.2 0.4 us 0.5 1.0 1.2 1.4 16
Lead Temperature (“C) Instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward characteristics
10
150
TJ:TJMax8 msSing1eHa|iSin Wave
120 "I | I
w:1
o
0):1
u.u1
Peak Fonlvard Surge Current (A)
E’
instantaneous Reverse Current (mA)
1 10 100
Number of Cycles at 60 Hz Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak FonNard Surge Current Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
www.vishay.com For technical questions within your region, please contact one of the following: Document Number: 887192 DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsIa@vishay.com, DiodesEuroge@vishay.com Revision: 19-Oct-09
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PDF描述
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