收藏本站
参数资料
型号： SB580E-G
厂商： Comchip Technology
文件页数： 2/3页
文件大小： 55K
描述： DIODE SCHOTTKY 5A 80V DO-201AD
标准包装： 1,200
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 80V
电流 - 平均整流 (Io)： 5A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 850mV @ 5A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 500µA @ 80V
电容@ Vr, F： 500pF @ 4V，1MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： DO-201AD，轴向
供应商设备封装： DO-201AD
包装： 带卷 (TR)
其它名称： SB580ET-G
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (SB520E-G Thru. SB5100E-G
)
Page 2
QW-BB043
REV:A
Fig.1 Forward Current Derating Curve
0
3.75”(9.5mm) lead length
A
v
e
r
a
g
e
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
OC)
Lead Temperature (
0
75
175
Fig.2 Maximum Non-repetitive Peak
Forward Surge Current
P
e
a
k
F
o
r
w
a
r
d
S
u
r
g
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Number of Cycles at 60Hz
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Instantaneous Forward Voltage (V)
50
100
125
2.0
4.0
6.0
Fig.4A
Typical Reverse Characteristics
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
25
150
Fig.5 Typical Junction Capacitance per leg
J
u
n
c
t
i
o
n
C
a
p
a
c
i
t
a
c
n
e
(
p
F
)
Reverse Voltage (V)
ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers
5.0
3.0
1.0
Comchip Technology CO., LTD.
0
1 10
100
200
150
100
50
SB520E-G ~ SB545E-G
SB550E-G
~ SB5100E-G
TL=110°C
8.3mS single half sine-wave
(JEDEC Method)
TJ=25°C
TJ=100°C
SB520E-G
~ S
B545E-G
0 20 40 60 80 100 120 140
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
TJ=125°C
01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
50
10
1
0.1
0.
SB520E-G
~ SB545E
-G
SB550E-G
~ SB560E
-G
SB580E-G
~ SB5100E
-G
0.1 1.0 10 100
1,000
10,000
100
TJ=25°C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
Fig.4B Typeical Reverse Characteristic
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
R
e
v
e
r
s
e
C
u
r
r
e
n
t
(
u
A
)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage ( %)
SB550E-G
~ SB5100E
-G
TJ=25°C
TJ=75°C
TJ=125°C
102
101
103
104
105
1
0 20 40 60 80 100
TJ=150°C
SB520E-G ~ SB545E-G
SB550E-G ~ SB5100E-G
single phase half wave 60Hz
resistive or inductive load
Fig.3 Typical Instantaneous Forward
Characteristics
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
R
e
v
e
r
s
e
C
u
r
r
e
n
t
(
m
A
)
Comchip
S
M
D
D
i
o
d
e
S
p
e
c
i
a
l
i
s
t
相关PDF资料
PDF描述
SB590-T DIODE SCHOTTKY 5A 90V DO-201AD
SB5H100/4 DIODE SCHOTTKY 5A 100V DO-201AD
SBAS116LT1G DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23
SBAS16HT1G DIODE SWITCH 200MA 75V SOD323
SBAS16LT3G DIODE SWITCH 75V 200MA SOT-23
相关代理商/技术参数
参数描述
SB580ET-G 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SB580H 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SB580L 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 80V Forward Current 5.0A
SB580S 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES
SB580-T 功能描述:肖特基二极管与整流器 5.0A 80V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*