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参数资料
| 型号： | SBAV199LT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.215 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | SBAV199LT1 |
BAV199LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR) = 100 mAdc)
V(BR)
70
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 70 Vdc)
(VR = 70 Vdc, TJ = 150°C)
IR
5.0
80
nAdc
Diode Capacitance
(VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
2.0
pF
Forward Voltage
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mAdc)
(IF = 50 mAdc)
(IF = 150 mAdc)
VF
900
1000
1100
1250
mVdc
Reverse Recovery Time
(IF = IR = 10 mAdc) (Figure 1)
trr
3.0
ms
Notes: 1. A 2.0 k
W variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp trr
+10 V
2.0 k
820 W
0.1 mF
DUT
VR
100 mH
0.1 mF
50 W OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 W INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; MEASURED
at iR(REC) = 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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