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参数资料
| 型号： | SBAV99LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.215 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | SBAV99LT3 |
BAV99LT1
http://onsemi.com
2
OFF CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage,
(I(BR) = 100 mA)
V(BR)
70
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current,
(VR = 70 Vdc)
(VR = 25 Vdc, TJ = 150°C)
(VR = 70 Vdc, TJ = 150°C)
IR
2.5
30
50
mAdc
Diode Capacitance,
(VR = 0, f = 1.0 MHz)
CD
1.5
pF
Forward Voltage,
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mAdc)
(IF = 50 mAdc)
(IF = 150 mAdc)
VF
715
855
1000
1250
mVdc
Reverse Recovery Time,
(IF = IR = 10 mAdc, iR(REC) = 1.0 mAdc) RL = 100 W
trr
6.0
ns
Forward Recovery Voltage,
(IF = 10 mA, tr = 20 ns)
VFR
1.75
V
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