参数资料
型号: SBCP-11HY-101HB
厂商: TOKO INC
元件分类: 通用定值电感
英文描述: 1 ELEMENT, 100 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
封装: ROHS COMPLIANT
文件页数: 1/2页
文件大小: 257K
代理商: SBCP-11HY-101HB
Numbering System
SBCP - 11HY - 101 H B
25.30
21.40
18.50
14.60
12.10
9.60
7.90
6.40
5.40
4.40
3.60
3.00
2.40
2.00
1.60
1.40
1.10
0.96
7.20
6.70
6.30
5.80
5.10
4.50
4.10
3.60
3.30
2.90
2.60
1.90
1.60
1.30
1.00
0.93
0.77
0.60
5.00
4.70
4.40
4.10
3.60
3.10
2.80
2.50
2.30
2.00
1.80
1.30
1.10
0.95
0.74
0.66
0.55
0.42
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.10
0.12
0.19
0.26
0.40
0.60
0.76
1.00
1.70
SBCP-11HY1R5H
1.5± 30%
SBCP-11HY2R2H
2.2± 30%
SBCP-11HY3R3H
3.3± 20%
SBCP-11HY4R7H
4.7± 20%
SBCP-11HY6R8H
6.8± 20%
SBCP-11HY100H
10± 20%
SBCP-11HY150H
15± 20%
SBCP-11HY220H
22± 20%
SBCP-11HY330H
33± 20%
SBCP-11HY470H
47± 20%
SBCP-11HY680H
68± 10%
SBCP-11HY101H
100± 10%
SBCP-11HY151H
150± 10%
SBCP-11HY221H
220± 10%
SBCP-11HY331H
330± 10%
SBCP-11HY471H
470± 10%
SBCP-11HY681H
680± 10%
SBCP-11HY102H
1000± 10%
11.0
SBCP-11HY
SBCP-11HY Coils
[RoHS Compliant]
* For bulk type
* Lead pitch is value at the
root end.
μ
Shape and Dimensions
*3.5
12
max.
+1.0
–0.5
5.0±0.5
0.6
101
12.5
max.
(PB wire)
DIP Type
Choke Coils VOL.08
相关PDF资料
PDF描述
SBCP-11HY-100H 1 ELEMENT, 10 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
SBCP-14HY6R8B 1 ELEMENT, 6.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
SBCP-14HY681B 1 ELEMENT, 680 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
SBCP-14HY4R7B 1 ELEMENT, 4.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
SBCP-14HY472B 1 ELEMENT, 4700 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
SBCP-47HY102B 制造商:NEC TOKIN Corporation 功能描述:SBCP Series 1000 uH 6 Ohm 0.15 A 10 % DIP Through Hole Coil 制造商:TOKIN 功能描述:SBCP Series 1000 uH 6 Ohm 0.15 A ?10 % DIP Through Hole Coil
SBCP53-10T1G 功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SBCP53-16T1G 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:* 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
SBCP53T1G 功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
SBCP56-10T1G 功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2