- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40078 > SBE813 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SBE813 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, VEC8, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | SBE813 |
SBE813
No.8967-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
7012-001
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
IF -- VF
Reverse Voltage, VR -- V
IR -- VR
Reverse
Current,
I
R
--
A
Average Output Current, IO -- A
PF(AV) -- IO
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
0
0.2
0.3
0.1
0.4
0.5
0.7
0.6
2
5
7
3
2
0.1
2
5
7
3
1.0
5
7
3
10
0.01
IT09868
IT09869
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
10000
100
1000
510
15
20
25
30
35
T
a=125
°C
100
°C
75
°C
50
°C
25
°C
0°
C
--25
°C
Ta=125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
0
°C
--25°C
(2)
(3)
(1)
0
0.5
2.0
1.6
1.8
1.4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
3.5
2.0
2.5
3.0
1.5
1.0
IT09870
(4)
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
θ
360
°
Rectangular
wave
180
°
360
°
Sine wave
0
0.00E+00
1.00E--04
2.00E--04
3.00E--04
10
5
4.00E--04
5.00E--05
1.50E--04
2.50E--04
3.50E--04
20
15
30
25
35
IT10631
(1)
(2)
(3)
(4)
PR(AV) -- VR
Peak Reverse Voltage, VR -- V
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine wave
θ
360
°
VR
180
°
360
°
VR
5
4
6
3
7
2
8
1
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
Top view
2.9
0.65
2.8
0.25
2.3
0.75
0.07
0.3
123
4
87
6 5
0.15
1 : Anode1
2 : No Contact
3 : Anode2
4 : No Contact
5 : Cathode2
6 : Cathode2
7 : Cathode1
8 : Cathode1
SANYO : VEC8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBE817 | 2 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBF1040 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBF1040 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBF1650CT | 16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBF1660CT | 16 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBE813_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 3.0A Rectifier |
| SBE813-TL-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 3A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBE817 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier |
| SBE818 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 2.0A Rectifi er |
| SBE818-TL-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 2A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。