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参数资料
| 型号： | SBG1030 |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SBG1030 |
SBG1030 thru SBG1045
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : D PAK molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60HZ, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
2
D PAK
2
All Dimensions in millimeter
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
9.65
10.69
15.88
14.60
8.25
9.25
1.67
-----
0.51
1.14
2.29
2.79
2.29
2.79
1.14
2.92
K
J
I
1.40
2.03
0.64
0.30
4.37
4.83
D
PAK
2
K
J
I
H
F
D
C
A
G
E
B
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
1
2
K
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 30 to 45 Volts
FORWARD CURRENT - 10 Amperes
SBG1030
30
21
30
10
250
0.60
-55 to +125
-55 to +150
3.0
SBG1035
35
24.5
35
SBG1040
40
28
40
SBG1045
45
31.5
45
280
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
Maximum Average Forward
Rectified Current (See Fig.1)
@TC
=95 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Forward Voltage
at 5A DC (Note 1)
TJ
Operating Temperature Range
TSTG
Storage Temperature Range
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JC
CJ
Typical Junction
Capacitance (Note 2)
IR
@TJ =100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =25 C
C
C/W
pF
mA
V
A
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNIT
1.0
50
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 4, Sep-2009, KTHB01
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
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| SBG1030L | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全称:Sirectifier Semiconductors 功能描述:肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。 |
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