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参数资料
型号： SBG2030CT-13
厂商： DIODES INC
元件分类： 整流器
英文描述： 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装： PLASTIC, D2PAK-3
文件页数： 1/2页
文件大小： 76K
代理商： SBG2030CT-13
DS30091 Rev. C-2
1 of 2
SBG2030CT - SBG2045CT
www.diodes.com
Diodes Incorporated
SBG2030CT - SBG2045CT
20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Case: D2PAK Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: See Diagram
Marking: Type Number
Weight: 1.7 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mechanical Data
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
123
4
PIN 1
PIN 3
PIN 2 & 4
D2PAK
Dim
Min
Max
A
9.65
10.69
B
14.60
15.88
C
0.51
1.14
D
2.29
2.79
E
4.37
4.83
G
1.14
1.40
H
1.14
1.40
J
8.25
9.25
K
0.30
0.64
L
2.03
2.92
M
2.29
2.79
All Dimensions in mm
Characteristic
Symbol
SBG
2030CT
SBG
2035CT
SBG
2040CT
SBG
2045CT
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
30
35
40
45
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
21
25
28
32
V
Average Rectified Output Current
@ TC = 105
°C
IO
20
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
IFSM
225
A
Forward Voltage, per Element
@ IF = 10A
VFM
0.55
V
Peak Reverse Current
@ Tj = 25
°C
at Rated DC Blocking Voltage
@ Tj = 100
°C
IRM
1.0
50
mA
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
650
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)
RqJC
2.0
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +150
°C
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
Surge Overload Rating to 225A Peak
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Notes:
1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
SPICE MODELS: SBG2030CT SBG2035CT SBG2040CT SBG2045CT
相关PDF资料
PDF描述
SBG2040CT-13 20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBG2045CT-13 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBL3030PT 15 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
SBT250-06L 25 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SC036H045A5B 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SBG2030CT-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 30V 20A D2-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
SBG2030CT-T-F 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SBG2035CT 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBG2035CT-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 35V 20A D2-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2
SBG2035CT-T-F 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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