参数资料
型号: SBG2040CT-TP
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 整流器
英文描述: 20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: D2PAK-3
文件页数: 1/2页
文件大小: 598K
代理商: SBG2040CT-TP
SBG2030CT
THRU
SBG2045CT
20 Amp
Schottky
Barrier Rectifier
30 to 45 Volts
Features
Meatl of Silicon Rectifier, Majority Conducton
Guard ring for transient protection
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability, High Efficiency
Low Power Loss
Maximum Ratings
Operating Junction Temperature: -55
°C to +125°C
Storage Temperature: -55
°C to +150°C
MCC
Catalog
Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
SBG2030CT
30V
21V
30V
SBG2035CT
35V
24.5V
35V
SBG2040CT
40V
28V
40V
SBG2045CT
45V
31.5V
45V
*Pulse Test: Pulse Width 300
sec, Duty Cycle 2%
www.mccsemi.com
K
J
I
H
F
D
C
A
G
E
B
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
12
K
2
D PAK
INCHES
MM
A
.380
.421
9.65
10.69
B
.575
.625
14.60
15.88
C
.325
.364
8.25
9.25
D
.045
.055
1.14
1.40
E
.020
.045
0.51
1.14
F
.090
.110
2.29
2.79
G
.090
.110
2.29
2.79
H
.080
.115
2.03
2.92
I
.045
.055
1.14
1.40
J
.012
.025
0.30
0.64
K
.172
.190
4.37
4.83
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
20 A
TC = 105
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
225A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
1.0mA
TJ = 25
°C
TJ = 25
°C
VF
.55V
IFM = 10A;
Typical Junction
Capacitance
CJ
350pF
Measured at
1.0MHz,
VR=4.0V
50mA
T J = 100
°C
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 3
2003/04/30
相关PDF资料
PDF描述
SBG2030CT-TP 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBG2040CT-T 20 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBG3050CT-13 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBG3040CT-13 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBH0203R 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
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