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参数资料
| 型号： | SBL-121 |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | GALLIUM ARSENIDE, C-X BAND, MIXER DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | SBL-121 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBL-801 | GALLIUM ARSENIDE, mm WAVE BAND, MIXER DIODE |
| SB01-15CP | 0.1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SB100-09 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SB160-05R | 16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SB20-05J | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBL-122 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:C to Millimeter Band Mixer, Detector, Modulator Applications |
| SBL1237 | 制造商:Energizer Battery Company 功能描述:BATTERY LI-ION SAMSUNG SBL1237 |
| SBL13(J) | 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
| SBL13003 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor |
| SBL-13OZ | 制造商:On-Shore Technology Inc 功能描述:MACHINED FEMALE HEADER |
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