- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录54462 > SBL2030PT-E3/45 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SBL2030PT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | SBL2030PT-E3/45 |
SBL2030PT, SBL2040PT
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Document Number: 88728
Revision: 06-Aug-10
2
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
SBL2030PT
SBL2040PT
UNIT
Thermal resistance from junction to case per diode
RθJC
1.5
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-247AD
SBL2030PT-E3/45
6.13
45
30/tube
Tube
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
0
2.5
5
7.5
12.5
0
50
100
150
10
Resistive or Inductive Load
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
15
17.5
20
25
22.5
0
50
150
100
250
200
300
1
100
10
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
100
10
1
0.1
0.01
0
0.2
0.6
1.2
0.4
0.8
1.0
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
20
0
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBL2035CT | 20 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBL2035PT | 20 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBL3040PT | 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBL3050PT | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBL3045CT | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBL2035CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBL2035PT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBL2040 | 制造商:JSMC 制造商全称:JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| SBL2040CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBL2040CT/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 40 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。