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参数资料
| 型号： | SBLB1630CT-E3/81 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 16A TO-263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 8A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 8A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SBL(F,B)1630CT & SBL(F,B)1640CT
Vishay General Semiconductor
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region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88727
Revision: 07-May-08
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode (1)
8.0 A V
F
0.55 V
Maximum instantaneous reverse current at rated DC
blocking voltage per diode (1)
TC
= 25 °C
TC
= 100 °C
IR
0.5
50
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL SBL SBLF SBLB UNIT
Typical thermal resistance from
junction to case per diode R
θJC
2.0 4.0 2.0 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB SBL1630CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB SBLF1630CT-E3/45 1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB SBL1630CTHE3/45
(1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB SBLF1630CTHE3/45
(1)
1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CTHE3/45
(1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CTHE3/81
(1)
1.35 81 800/reel Tape and reel
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
0
50
150
100
250
200
300
1
100
10
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ESA06DTKN-S288 | CONN EDGECARD 12POS .125 EXTEND |
| RH-2415D/H | CONV DC/DC 1W 24VIN +/-15VOUT |
| AIAP-01-103-K-T | INDUCTOR 10000UH 10% 52MA |
| HIP6601BECBZA | IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC |
| AIAP-01-822-K-T | INDUCTOR 8200UH 10% 54MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBLB1630CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Volt 16 Amp Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBLB1630CTHE3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Volt 16 Amp Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBLB1640CT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Schottky Barrier Rectifier |
| SBLB1640CT/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 16 Amp 40 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBLB1640CT/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 16 Amp Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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