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参数资料
| 型号： | SBLB25L20CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12.5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | SBLB25L20CT-E3/45 |
SBL(F,B)25L20CT thru SBL(F,B)25L30CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88731
Revision: 08-Apr-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0
0.2
0.4
0.6
0.01
0.1
10
1
100
0.1
0.3
0.5
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
J = 100 °C
T
J = 125 °C
60
40
20
10
100
80
0.01
1
10
1000
0.1
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 100 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(mA)
100
70
50
30
90
T
J = 150 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0.1
10
1
100
10 000
1000
100
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
Reverse Voltage (V)
0.1
0.01
10
1
100
10
1
0.1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
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