- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20593 > SBLF1040CTHE3/45 (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 40V 10A ITO-220AC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SBLF1040CTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 143K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 40V 10A ITO-220AC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AC |
| 包装： | 管件 |
SBL(F,B)1030CT & SBL(F,B)1040CT
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com For technical questions within your
region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88726
Revision: 25-Apr-08
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode
(1)
5.0 A VF
0.55 V
Maximum instantaneous reverse current per diode at
rated DC blocking voltage (1)
TC
= 25 °C
TC
= 100 °C
IR
0.5
50
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL SBL SBLF SBLB UNIT
Typical thermal resistance per diode RθJC
3.0 5.0 3.0 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB SBL1030CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB SBLF1030CT-E3/45 1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1030CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1030CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB SBL1030CTHE3/45
(1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB SBLF1030CTHE3/45
(1)
1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1030CTHE3/45
(1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1030CTHE3/81
(1)
1.35 81 800/reel Tape and reel
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
50
100
150
0
2.5
5
7.5
10
12.5
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
1
10
100
0
50
100
150
200
250
300
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S470K25SL0N6UJ5R | CAP CER 47PF 1KV 10% RADIAL |
| ECM24DCSN | CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD |
| ISL89164FRTCZ-T | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN |
| U2D-ATOM-60 | USB2DEMON BDM/JTAG ATOM |
| S470K25SL0N63J5R | CAP CER 47PF 1KV 10% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBLF1040-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBLF1040HE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBLF1045 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBLF1050 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBLF1060 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。