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参数资料
| 型号： | SBR10120CTL-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 74K |
| 描述： | DISCRETE DIODE ARRAY |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SBR® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 880mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 二极管类型： | 超级势垒 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SBR10120CTL-13DIDKR |
SBR10120CTL
Document number: DS35588 Rev. 3 - 2
2 of 4
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
SBR10120CTL
NEW PRODUCT
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated
Maximum Ratings (Per Leg)
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol Value Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VRM
120 V
Average Rectified Output Current Per Device (Per Leg)
(Total)
IO
5
10
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
110 A
Thermal Characteristics (Per Leg)
Characteristic Symbol Value Unit
Typical Thermal Resistance(Note 4)
RθJC
20 oC/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +175
oC
Electrical Characteristics (Per Leg)
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Forward Voltage Drop
VF
-
-
0.81
-
0.88
0.74
V
IF
= 5A, T
J
= 25oC
IF
= 5A, T
J
= 125oC
Leakage Current (Note 3)
IR
-
-
-
-
0.1
20
mA
VR
= 120V, T
J
= 25oC
VR
= 120V, T
J
= 125oC
Notes: 3. Short duration pulse test used
to minimize self-heating effect.
4. Device mounted on Polymide substrate, 125mm2 copper pad, double-sided, PC boards.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
0.001
0.01
0.1
1
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(A)
F
10
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = 175°CA
0.1020406080100120
1
10
100
10,000
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
E
N
T
(μA)
R
1,000
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
T = 175°CA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBR10150CTL-13 | DISCRETE DIODE ARRAY |
| SBR10200CTB-13-G | DIODE SBR 10A 200V D2PAK |
| SBR10200CTL-13 | DIODE ARRAY 200V 10A TO252 |
| SBR10200CT | DIODE SBR 10A 200V TO220-3 |
| SBR1040CTB | DIODE SBR 10A 40V D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR10150 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:10.0 Amp Schottky Barrier Rect |
| SBR10150_08 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:10.0 Amp Schottky Barrier Rect |
| SBR10150_11 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Voltage 150 V 10.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers |
| SBR10150CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 150V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR10150CTB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Super barrier rectifier |
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