参数资料
型号: SBR10U200P5-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 111K
描述: DIODE SBR 10A 200V POWERDI5
产品培训模块: Super Barrier Rectifier (SBR®)
产品目录绘图: Rectifier PowerDI5 Circuit
其它图纸: Rectifier PowerDI5 Top
Rectifier PowerDI5 Side
标准包装: 1
系列: SBR®
二极管类型: 超级势垒
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 880mV @ 10A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 200V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerDI? 5
供应商设备封装: PowerDI?5
包装: 标准包装
产品目录页面: 1593 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SBR10U200P5DIDKR
SBR and POWERDI are registered trademarks of Diodes Incorporated.
SBR10U200P5
Document number: DS31234 Rev. 8 - 2
3 of 5
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
SBR10U200P5
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
0.1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
1
10
100
1,000
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
I , INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (μA)
R
T = 25°CA
T = 85°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
Fig. 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
1
10
100
1,000
10,000
0.1
1
10
100
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
f = 1MHz
Fig. 5 Forward Current Derating Curve
0
2.0
4.0
0 25 50 75 100 125 175150
T , LEAD TEMPERATURE (°C)L
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
F(AV)
Note 5
6.0
8.0
10
12
R = RθθJA JC
Based on Lead Temperature TL
Fig. 6 Operating Temperature Derating
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
25
50
75
100
125
150
175
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
T , DERATED AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 7 Pulse Derating Curve
0
20
40
60
80
100
120
0
50 75 100 125 150
175
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)J
P , AVALANCHE PEAK PULSE POWER
DERATING IN PERCENTAGE (%)
ARM
25
10
1
100
1,000
10,000
10 100 1,000 10,000
Fig. 8 Maximum Avalanche Power vs. Pulse Duration
T , PULSE DURATION (μS)P
P , MAXIMUM AVALANCHE POWER (W)
M
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