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参数资料
| 型号： | SBR2M30P1-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 160K |
| 描述： | RECTIFIER SBR 2A 30V POWERDI123 |
| 产品培训模块： | Super Barrier Rectifier (SBR®) |
| 其它图纸： | DFL(R,U,S,), SBR(2,3) Series Side DFL(R,U,S,), SBR(2,3) Series Top DFL(R,U,S,), SBR(2,3) Series Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SBR® |
| 二极管类型： | 超级势垒 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 460mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | PowerDI? 123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1593 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SBR2M30P1DIDKR |
SBR2M30P1
Document number: DS30704 Rev. 7 - 2
2 of 4
www.diodes.com
October 2008
? Diodes Incorporated
SBR2M30P1
SBR and PowerDI are registered trademarks of Diodes Incorporated.
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 5)
V(BR)R
30 -
-
V IR
= 200μA
Forward Voltage Drop
VF
-
-
-
-
-
-
0.26
0.37
0.42
0.16
0.29
0.36
0.30
0.41
0.46
0.19
0.32
0.39
V
IF
= 0.1A, T
J
= 25oC
IF
= 1.0A, T
J
= 25oC
IF
= 2.0A, T
J
= 25oC
IF
= 0.1A, T
J
= 125oC
IF
= 1.0A, T
J
= 125oC
IF
= 2.0A, T
J
= 125oC
Leakage Current (Note 5)
IR
-
10
20
1.7
3.1
100
200
8
12
μA
μA
mA
mA
VR
= 5V, T
J
= 25oC
VR
= 30V, T
J
= 25oC
VR
= 5V, T
J
= 125oC
VR
= 30V, T
J
= 125oC
Notes: 5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
Fig. 1 Forward Power Dissipation
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0123
I , AVERAGE FORWARD CURRENT (A)F(AV)
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (W)
D
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.1
1
10
100
1,000
10,000
0 0.2 0.4 0.6 0.8
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (mA)
F
T =100 CA
°
T =175 CA
°
T=25CA
°
T= -65CA
°
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
1.0E-060 5 10 15 20 25 30
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V) R
I , INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (mA)
R
T =175 CA
°
T=25CA
°
T= -65CA
°
T =100 CA
°
Fig. 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
10 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
10
100
1,000
10,000
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
f = 1.0MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBR2U150SA-13 | DIODE SBR 150V 2A SMA |
| SBR2U30P1-7 | RECTIFIER SBR 2A 30V POWERDI123 |
| SBR2U30SA-13 | DIODE SBR 2A 30V SMA |
| SBR3A40SA-13 | DIODE SBR 3A 40V SMA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR2U150SA-13 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rect SMA,5K RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR2U30P1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:2.0A SBR Super Barrier Rectifier |
| SBR2U30P1-7 | 功能描述:整流器 2A 30V Ultralow VF RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| SBR2U30SA-13 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SMA 2.0A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBR30 | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:STANDARD RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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